微波陶瓷燒結設備主要用于燒結各種高品質陶瓷、工業陶瓷、工藝陶瓷、75瓷95瓷、特種陶瓷、精細陶瓷；燒結電子陶瓷器件：PZT壓電陶瓷、壓敏電阻等。
　　所謂微波燒結或微波燃燒合成是指用微波輻照來代替傳統的熱源。均勻混合的物料或預先壓制成型的料坯通過自身對微波能量的吸收（或耗散）達到一定的高溫，從而引發燃燒合成反應或完成燒結過程。由于它與傳統技術相比較，屬于兩種截然不同的加熱方式。因此，微波燒結有著自身的特點。微波介質加熱原理，化學原料一旦放入微波電場中，其中的極性分子和非極性分子就引起極化，變成偶分子。按照電場方向定向，由于該電場屬于交變電場，所以偶極子便隨著電場變化而引起旋轉和震動，例如頻率為2450MHZ，以每秒24億5千萬次的旋轉和震動，產生了類似于分子之間相互摩擦的效應，從而吸收電場的能量而發熱，物體本身成為發熱體。當用傳統方式加熱時，點火引燃總是從樣品表面開始，燃燒從表面向樣品內部傳播最終完成燒結反應。而采用微波輻射時，情況就不同了。由于微波有較強的穿透能力，它能深入到樣品內部，首先使樣品中心溫度迅速升高達到著火點并引發燃燒合成。燒結波沿徑向從里向外傳播，這就能使整個樣品幾乎是均勻地被加熱，最終完成燒結反應。微波點火引燃在樣品中產生的溫度梯度（dT/dt）傳統點火方式小得多。換句話說，微波燒結過程中燒結波的傳播要比傳統加熱方式均勻得多。將金屬利用微波輻射加熱到1300-2000℃高溫燒結成陶瓷。　
實驗表明，當樣品的壓緊密度高時，傳統加熱方式引發的燃燒波的傳播速率大大減小，甚至因“自熄”而不能自然。但是，若采用微波輻照，由于溫度的升高是反應物質本身吸收（或擴散）微波能量的結果，只要微波源不斷地給予能量，樣品溫度將很快達到著火溫度（T1）。反應一旦引發，放出的熱量又促使樣品溫度進一步升高達到燃燒溫度（T2），樣品吸收微波輻射的能力也同時增加，這就保證了反應能夠保持在一個足夠高的溫度（T3＞T1）下進行，直到反應完全。微波燃燒合成或微波燒結是一個可以控制的過程。這就是說，我們可以根據對產品性質的要求，通過對一系列參數的調整，人為地控制燃燒波的傳播。這是微波燃燒合成較之于傳統技術的一個顯著的優點。微波功率的調節，可以是直接采用可調功率的微波源來控制樣品對微波能量的吸收（或耗散）。使產品性能更加符合我們的要求。

（一）燒結機理
　　將顆粒狀陶瓷坯體置于高溫爐中，使其致密化形成強固體材料的過程，即為燒結。燒結開始于坯料顆粒間空隙排除，使相應的相鄰的粒子結合成緊密體。但燒結過程必須具備兩個基本條件：
　　（1）應該存在物質遷移的機理；
　　（2）必須有一種能量（熱能）促進和維持物質遷移。
　　現在精細陶瓷燒結的機理已出現了氣相燒結、固相燒結、液相燒結及反應液體燒結等四種燒結模式。它們的材料結構機理與燒結驅動力方式各不相同。最主要的燒結機理是液相和固相燒結，尤其是傳統陶瓷和大部分電子陶瓷的燒結依賴于液相形成、粘滯流動和溶解再沉淀過程，而對于高純、高強結構陶瓷的燒結，則以固相燒結為主，它們是通過晶界擴散或點陣擴散來達到物質遷移的。
（二）精細陶瓷燒結使用的微波窯爐
　　陶瓷材料與制品最終燒制成功，可以在各種窯爐中燒成。可以是間歇式微波窯爐，也可以采用連續式微波窯爐。前者燒成為周期性，適合小批量或特殊燒成方法。后者用于大規模生產與相對低的燒成條件。精細陶瓷使用最廣泛的是電加熱爐。燒成溫度與所需氣氛確定窯爐方式的選擇。許多高精尖的精細陶瓷制品需要采用超高溫窯爐進行燒制。按照傳統陶瓷燒成溫度高低的劃分。燒成溫度在１１００℃以下為低溫、１１００℃～１２５０℃為中溫，１２５０℃～１４５０℃為高溫燒成，１４５０℃以上為超高溫燒成。如高純氧化鋁陶瓷、碳化硅及氮化硅陶瓷都需超高溫燒結。目前國內精細陶瓷制品燒成使用的超高溫窯爐，主要從日、美等國進口，目前日本某窯爐公司已能制造燒成溫度達１８００℃、溫差為０℃的超高溫窯爐。發展精細陶瓷產品，必須首先將超高溫窯爐國產化，藉以降低設備投資，使產品盡快投產，意義很大。
   （三）精細陶瓷主要燒結技術
　　　精細陶瓷燒結主要有以下幾種技術方法：
　　（１）常壓燒結：又稱無壓燒結。屬于在大氣壓條件下坯體自由燒結的過程。在無外加動力下材料開始燒結，溫度一般達到材料的熔點０．５－０．８即可。在此溫度下固相燒結能引起足夠原子擴散，液相燒結可促使液相形成或由化學反應產生液相促進擴散和粘滯流動的發生。常壓燒結中準確制定燒成曲線至關重要。合適的升溫制度方能保證制品減少開裂與結構缺陷現象，提高成品率。
　　（２）熱壓燒結與熱等靜壓燒結：熱壓燒結指在燒成過程中施加一定的壓力（在１０～４０ＭＰａ），促使材料加速流動、重排與致密化。采用熱壓燒結方法一般比常壓燒結溫度低１００℃左右，主要根據不同制品及有無液相生成而異。熱壓燒結采用預成型或將粉料直接裝在模內，工藝方法較簡單。該燒結法制品密度高，理論密度可達９９％，制品性能優良。不過此燒結法不易生產形狀復雜制品，燒結生產規模較小，成本高。
　　連續熱壓燒結生產效率高，但設備與模具費用較高，又不利于過高過厚制品的燒制。熱等靜壓燒結可克服上述弊缺，適合形狀復雜制品生產。目前一些高科技制品，如陶瓷軸承、反射鏡及軍工需用的核燃料、槍管等、亦可采用此種燒結工藝。
　　（３）反應燒結：這是通過氣相或液相與基體材料相互反應而導致材料燒結的方法。最典型的代表性產品是反應燒結碳化硅和反應燒結氮化硅制品。此種燒結優點是工藝簡單，制品可稍微加工或不加工，也可制備形狀復雜制品。缺點是制品中最終有殘余未反應產物，結構不易控制，太厚制品不易完全反應燒結。
除碳化硅、氮化硅反應燒結外，最近又出現反應燒結三氧化二鋁方法，可以利用Ａｌ粉氧化反應制備Ａｌ２Ｏ３和Ａｌ２Ｏ３－Ａｌ復合材料，材料性能好。
　　（４）液相燒結：許多氧化物陶瓷采用低熔點助劑促進材料燒結。助劑的加入一般不會影響材料的性能或反而為某種功能產生良好影響。作為高溫結構使用的添加劑，要注意到晶界玻璃是造成高溫力學性能下降的主要因素。如果通過選擇使液相有很高的熔點或高粘度。或者選擇合適的液相組成，然后作高溫熱處理，使某些晶相在晶界上析出，以提高材料的抗蠕變能力。
　　（５）微波燒結法：系采用微波能進行直接加熱進行燒結的方法。目前已有內容積１立方米，燒成溫度可達１６５０℃的微波燒結爐。如果使用控制氣氛石墨輔助加熱爐，溫度可高達２０００℃以上。并出現微波連續加熱１５米長的隧道爐裝置。使用微波爐燒結精細陶瓷，在產品質量與降低能耗方面，均比其它窯爐優越。
　　（６）電弧等離子燒結法：其加熱方法與熱壓不同，它在施加應力同時，還施加一脈沖電源在制品上，材料被韌化同時也致密化。實驗已證明此種方法燒結快速，能使材料形成細晶高致密結構，預計對納米級材料燒結更適合。但迄今為止仍處于研究開發階段，許多問題仍需深入探討。
　　（７）自蔓延燒結法：是通過材料自身快速化學放熱反應而制成精密陶瓷材料制品。此方法節能并可減少費用。國外有報道說可用此法合成２００多種化合物，如碳化物、氮化物、氧化物、金屬間化合物與復合材料等。
　　（８）氣相沉積法：分物理氣相法與化學氣相法兩類。物理法中最主要有濺射和蒸發沉積法兩種。濺射法是在真空中將電子轟擊一平整靶材上，將靶材原子激發后涂覆在樣品基板上。雖然涂覆速度慢且僅用于薄涂層，但能夠控制純度且底材不需要加熱。
　　化學氣相沉積法是在底材加熱同時，引入反應氣體或氣體混合物，在高溫下分解或發生反應生成的產物沉積在底材上，形成致密材料。此法的優點是能夠生產出高致密細晶結構，材料的透光性及力學性能比其它燒結工藝獲得的制品更佳。
　　隨著微電子、數據存儲、先進顯示與光學涂層越來越多的需求，對精密陶瓷薄膜的需求大幅增長。
社會需求與高科技發展是精密陶瓷燒結水平不斷提高與優化的原動力，精密陶瓷燒結技術將不斷取得新進步