1,物理性質：

密度：6.20

熔點：1041℃

禁帶寬度：1.46 eV

2，純度：99.9999%；

3，規格：晶片（wafers)；

4，檢測：GDMS，XRD;

5，技術對接：CVD工藝：1molCd+1molTe=1molCdTe,進行二次處理后，再經過引晶，區域熔煉，生長碲化鎘單晶--線切割--打磨拋光；

6，服務：提供免費樣品，MSDS及實用的防護措施；

7，應用：紅外窗場致發光器件，紅外探測，X射線探測，核放射性探測器，接近可見光區的發光器件；

8，包裝：明礬分裝（取料時只需溫水溶化）；